VB1695
Symbol Micros:
TAP2310GN VBS
Obudowa: SOT23
TRANSISTOR MOSFET; SOT23-3; 60V; 3,1A; N-Channel; ODPOWIEDNIK: AP2310GN; VBSEMI: VB1695;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 86mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,09W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VBsemi |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: VBsemi
Symbol producenta: VB1695 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4000 | 0,7710 | 0,6060 | 0,5610 | 0,5380 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 86mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,09W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VBsemi |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |