AP9435GG
Symbol Micros:
TAP9435gg
Obudowa: SOT-89
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; AP9435GG-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 90mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 90mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |