AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9567gh-hf-3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 70mOhm; 22A; 34,7W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 22A
Maksymalna tracona moc: 34,7W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP9567GH RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
380 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,0000 1,2000 0,9190 0,8270 0,7990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 22A
Maksymalna tracona moc: 34,7W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD