AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9971gh-hf-3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 25A
Maksymalna tracona moc: 39W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP9971GH-HF-3 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r  
Stan magazynowy:
240 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,8000 0,9980 0,7880 0,7150 0,6920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 25A
Maksymalna tracona moc: 39W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD