AUIRF1010EZS International Rectifier

Symbol Micros: TAUIRF1010ezs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: D2PAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 84A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRF1010EZSTRL; AUIRF1010EZSTRR;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 84A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: D2PAK
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 8,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 84A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: D2PAK
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD