AUIRF9Z34N International Rectifier

Symbol Micros: TAUIRF9Z34n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220AB
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 19A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO-220AB
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: AUIRF9Z34N RoHS Obudowa dokładna: TO220AB karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 6,2500 4,3700 3,5900 3,3400 3,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 19A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO-220AB
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT