BC109C

Symbol Micros: TBC109c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 18
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 25V; 200mA; 150MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: BC109C-CDI;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: CDIL
Obudowa: TO 18
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Producent: CDIL Symbol producenta: BC109C RoHS Obudowa dokładna: TO 18 karta katalogowa
Stan magazynowy:
232 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 966+
cena netto (PLN) 2,1300 1,2900 0,9910 0,8940 0,8510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
966
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: CDIL
Obudowa: TO 18
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 200°C
Typ tranzystora: NPN