BC212B
Symbol Micros:
TBC212b
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 120; 350mW; 50V; 100mA; 280MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC212B-CDI; BC212BG; BC212BZL1;
Parametry
| Moc strat: | 350mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 120 |
| Częstotliwość graniczna: | 280MHz |
| Obudowa: | TO92 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: CDIL
Symbol producenta: BC212B RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
Stan magazynowy:
6 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 150+ | 750+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4520 | 0,1720 | 0,1020 | 0,0812 | 0,0753 |
Producent: CDIL
Symbol producenta: BC212B RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
Stan magazynowy:
48 szt.
| ilość szt. | 5+ | 10+ | 48+ | 288+ | 1680+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4520 | 0,2980 | 0,1410 | 0,0889 | 0,0753 |
Producent: CDIL
Symbol producenta: BC212B RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4520 | 0,2070 | 0,1120 | 0,0832 | 0,0753 |
| Moc strat: | 350mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 120 |
| Częstotliwość graniczna: | 280MHz |
| Obudowa: | TO92 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |