BC327-25

Symbol Micros: TBC32725
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 400; 625mW; 45V; 800mA; 260MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC327-25-DIO; BC32725BU; BC32725TA; BC327-25BK-DIO; BC327-25-GURT; BC327-25-BULK; BC327-25-T/B; BC327.25;
Parametry
Moc strat: 625mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 260MHz
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: LGE Symbol producenta: BC327-25 RoHS Obudowa dokładna: TO92ammoformed karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 10+ 40+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 0,3800 0,1670 0,1100 0,0702 0,0585
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: LGE Symbol producenta: BC327-25 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
15000 szt.
ilość szt. 10+ 40+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 0,3800 0,1670 0,1100 0,0702 0,0585
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/10000/20000
Producent: LGE Symbol producenta: BC327-25 RoHS Obudowa dokładna: TO92 karta katalogowa
Stan magazynowy:
4910 szt.
ilość szt. 10+ 40+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 0,3800 0,1670 0,1100 0,0702 0,0585
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 625mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 260MHz
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP