BC327-40
Symbol Micros:
TBC32740
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 630; 625mW; 45V; 800mA; 260MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC327-40-LGE; BC32740TA; BC32740BU; BC327-40-BULK; BC327-40-AP; BC327-40ZL1G; BC327-40-GURT; BC327.40;
Parametry
Moc strat: | 625mW |
Producent: | LGE |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
Częstotliwość graniczna: | 260MHz |
Obudowa: | TO92 |
Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: LGE
Symbol producenta: BC327-40 RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
11880 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3430 | 0,1360 | 0,0800 | 0,0589 | 0,0527 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC32740TA
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1852 |
Producent: CDIL
Symbol producenta: BC327.40
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnetrzny:
5500 szt.
ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0910 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC32740BU
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1810 |
Moc strat: | 625mW |
Producent: | LGE |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
Częstotliwość graniczna: | 260MHz |
Obudowa: | TO92 |
Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |