BC327-40

Symbol Micros: TBC32740 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 630; 625mW; 45V; 800mA; 260MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC327-40-LGE; BC32740TA; BC32740BU; BC327-40-BULK; BC327-40-AP; BC327-40ZL1G; BC327-40-GURT; BC327.40;
Parametry
Moc strat: 625mW
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 630
Częstotliwość graniczna: 260MHz
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: LGE Symbol producenta: BC327-40 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
14430 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,3410 0,1350 0,0797 0,0587 0,0525
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/10000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC32740BU Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnętrzny:
15500 szt.
ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,3382
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: CDIL Symbol producenta: BC327.40 Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnętrzny:
66500 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0813
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 625mW
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 630
Częstotliwość graniczna: 260MHz
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta