BC517 LGE
Symbol Micros:
TBC517 c
Obudowa: TO92bul
Tranzystor NPN; 30000; 625mW; 30V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TBC517-BK; BC517-CDI; BC517-BK;
Parametry
| Moc strat: | 625mW |
| Producent: | LGE |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30000 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Obudowa: | TO92bul |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: LGE
Symbol producenta: BC517 RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
Stan magazynowy:
3800 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7040 | 0,2800 | 0,1620 | 0,1350 | 0,1280 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-08-20
Ilość szt.: 2000
| Moc strat: | 625mW |
| Producent: | LGE |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30000 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Obudowa: | TO92bul |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |