BC557C

Symbol Micros: TBC557c

Obudowa: TO92

Tranzystor PNP; 800; 625mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC557C-LGE; BC557C-DIO; BC557CBK; BC557C-GURT; BC557C-AP;

Parametry

Moc strat:	625mW
Producent:	LGE
Obudowa:	TO92
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	800
Częstotliwość graniczna:	150MHz
Maksymalny prąd kolektora:	100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	45V

Producent: LGE Symbol producenta: BC557C RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa

Stan magazynowy:

99 szt.

ilość szt.	10+	50+	200+	1000+	5000+
cena netto (PLN)	0,3690	0,1460	0,0862	0,0635	0,0568

Towar w drodze

Planowany termin:
2026-08-07

Ilość szt.: 10000

Moc strat:	625mW
Producent:	LGE
Obudowa:	TO92
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	800
Częstotliwość graniczna:	150MHz
Maksymalny prąd kolektora:	100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	45V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	PNP

Ilość szt.	10+	50+	200+	1000+	5000+
cena netto (PLN)	0,4520	0,1790	0,1060	0,0778	0,0696