BC557C

Symbol Micros: TBC557c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 800; 625mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC557C-LGE; BC557C-DIO; BC557CBK; BC557C-GURT; BC557C-AP;
Parametry
Moc strat: 625mW
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: CDIL Symbol producenta: BC557C Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnętrzny:
13100 szt.
ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0767
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 625mW
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta