BC639
Symbol Micros:
TBC639
Obudowa: TO92
Tranzystor NPN; 160; 800mW; 80V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC637; BC639-CDI;
Parametry
| Moc strat: | 800mW |
| Producent: | CDIL |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 160 |
| Obudowa: | TO92 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: MIC
Symbol producenta: BC639 RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
Stan magazynowy:
3436 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6770 | 0,2710 | 0,1570 | 0,1310 | 0,1230 |
Producent: import
Symbol producenta: BC639 RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6770 | 0,2710 | 0,1570 | 0,1310 | 0,1230 |
| Moc strat: | 800mW |
| Producent: | CDIL |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 160 |
| Obudowa: | TO92 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |