BC639

Symbol Micros: TBC639
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor NPN; 160; 800mW; 80V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC637; BC639-CDI;
Parametry
Moc strat: 800mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Producent: CDIL
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: import Symbol producenta: BC639 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6770 0,2710 0,1570 0,1310 0,1230
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: MIC Symbol producenta: BC639 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul  
Stan magazynowy:
3636 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6770 0,2710 0,1570 0,1310 0,1230
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/5000
Producent: CDIL Symbol producenta: BC639 Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnetrzny:
510 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5516
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: CDIL Symbol producenta: BC639 Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnetrzny:
12150 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2315
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 800mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Producent: CDIL
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN