BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI
Symbol Micros:
TBC63916-D27Z
Obudowa: TO92t/r
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Odpowiednik: BC63916-D27Z; BC63916D27Z;
Parametry
| Moc strat: | 830mW |
| Producent: | ONSEMI |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | TO92 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC63916_D27Z
Obudowa dokładna: TO92t/r
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4157 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC63916-D27Z
Obudowa dokładna: TO92t/r
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4248 |
| Moc strat: | 830mW |
| Producent: | ONSEMI |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | TO92 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |