BC640

Symbol Micros: TBC640
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT;
Parametry
Moc strat: 830mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-06-12
Ilość szt.: 2000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-04-30
Ilość szt.: 1000
Moc strat: 830mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP