BC640
Symbol Micros:
TBC640
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI;
Parametry
| Moc strat: | 830mW |
| Producent: | LGE |
| Obudowa: | TO92 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: MIC
Symbol producenta: BC640 RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
Stan magazynowy:
5900 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9240 | 0,3690 | 0,2150 | 0,1790 | 0,1680 |
Producent: MIC
Symbol producenta: BC640 RoHS
Obudowa dokładna: TO92amm
Stan magazynowy:
2000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9240 | 0,3690 | 0,2150 | 0,1790 | 0,1680 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC640TA
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3901 |
Producent: CDIL
Symbol producenta: BC640
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnętrzny:
3100 szt.
| ilość szt. | 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2831 |
| Moc strat: | 830mW |
| Producent: | LGE |
| Obudowa: | TO92 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |