BC640
Symbol Micros:
TBC640
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT;
Parametry
Moc strat: | 830mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Producent: | LGE |
Obudowa: | TO92 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-06-12
Ilość szt.: 2000
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-04-30
Ilość szt.: 1000
Moc strat: | 830mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Producent: | LGE |
Obudowa: | TO92 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |