BC640
Symbol Micros:
TBC640
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI;
Parametry
| Moc strat: | 830mW |
| Producent: | LGE |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Obudowa: | TO92 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: CDIL
Symbol producenta: BC640
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnętrzny:
141 szt.
| ilość szt. | 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5498 |
Producent: CDIL
Symbol producenta: BC640
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnętrzny:
1600 szt.
| ilość szt. | 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2747 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC640TA
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnętrzny:
8000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3785 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-07-20
Ilość szt.: 2000
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-04-20
Ilość szt.: 1800
| Moc strat: | 830mW |
| Producent: | LGE |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Obudowa: | TO92 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |