BC640

Symbol Micros: TBC640
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI;
Parametry
Moc strat: 830mW
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: MIC Symbol producenta: BC640 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul  
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9240 0,3660 0,2100 0,1740 0,1680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: MIC Symbol producenta: BC640 RoHS Obudowa dokładna: TO92amm  
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9240 0,3660 0,2100 0,1740 0,1680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Producent: CDIL Symbol producenta: BC640 Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnętrzny:
3900 szt.
ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,2787
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC640TA Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnętrzny:
8000 szt.
ilość szt. 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,3664
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC640TA Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,6576
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-09-30
Ilość szt.: 6000
Moc strat: 830mW
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP