BC640-16 CDIL

Symbol Micros: TBC64016 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 250; 800mW; 80V; 1A; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640-16-CDI; BC640-16-LGE;
Parametry
Moc strat: 800mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: CDIL
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: LGE Symbol producenta: BC640-16 RoHS Obudowa dokładna: TO92  
Stan magazynowy:
1800 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,5250 0,1990 0,1110 0,0909 0,0875
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Producent: LGE Symbol producenta: BC640-16 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul  
Stan magazynowy:
182 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,5250 0,1990 0,1110 0,0909 0,0875
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Moc strat: 800mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: CDIL
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP