BC807,215
Symbol Micros:
TBC807
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817; BC807,215;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 80MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2027-12-31
Ilość szt.: 3000
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 80MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
BC807 JSMICRO
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807,215;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BC807 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2790 | 0,1080 | 0,0525 | 0,0418 | 0,0399 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)