BC807-25 smd

Symbol Micros: TBC80725 c
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-25-DIO;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: HOTTECH Symbol producenta: BC807-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
9000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3260 0,1250 0,0612 0,0487 0,0465
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP