BC807-25 smd
Symbol Micros:
TBC80725 c
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-25-DIO;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
Symbol producenta: BC807-25 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
15000 szt.
ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,2620 | 0,0979 | 0,0524 | 0,0391 | 0,0361 |
Producent: HOTTECH
Symbol producenta: BC807-25 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
9000 szt.
ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,2620 | 0,0979 | 0,0524 | 0,0391 | 0,0361 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-06-20
Ilość szt.: 3000
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |