BC807-25 GALAXY

Symbol Micros: TBC80725 GAL
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 400; 300mW; 45V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-25,215; BC807-25,235; BC807-25LT1G; BC807-25LT3G; BC807-25E6327; BC807-25E6433; BC807-25 RFG; BC807-25-7-F; BC807-25-TP;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: GALAXY Symbol producenta: BC807-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3500 0,1380 0,0806 0,0590 0,0539
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP