BC807-25 (printed BC807-40 on Units)

Symbol Micros: TBC80725 re-ex
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 500mA 80MHz 250mW Surface Mount TO-236AB
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Obudowa: SOT23-3
Częstotliwość graniczna: 80MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: NXP Symbol producenta: BC807-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1940 0,0727 0,0389 0,0291 0,0268
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
2998
Producent: NXP Symbol producenta: BC807-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1940 0,0727 0,0389 0,0291 0,0268
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Obudowa: SOT23-3
Częstotliwość graniczna: 80MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta