BC807-25WT1G

Symbol Micros: TBC80725wt1g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC70-3
Tranzystor PNP; 400; 460mW, 45V; 500mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 460mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC70-3
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC807-25WT1G RoHS Obudowa dokładna: SC70-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5500 0,2520 0,1370 0,1030 0,0917
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 460mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC70-3
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP