BC807-40 SOT23(T/R) LGE

Symbol Micros: TBC80740 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40-LGE;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: LGE
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: LGE Symbol producenta: BC807-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,3560 0,1420 0,0713 0,0570 0,0548
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Moc strat: 300mW
Producent: LGE
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP