BC807-40LT1G ONS

Symbol Micros: TBC80740 ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 600; 225mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40LT3G;
Parametry
Moc strat: 225mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC807-40LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4540 0,2080 0,1130 0,0847 0,0756
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 225mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP