BC807-40W smd
Symbol Micros:
TBC80740w
Obudowa: SOT323
Tranzystor PNP; 600; 200mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40W,115; BC807-40WT1G; BC807-40W,135; BC807-40W.115;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT323 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Częstotliwość graniczna: | 80MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC807-40W RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4740 | 0,1870 | 0,1090 | 0,0798 | 0,0729 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC807-40W,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
633000 szt.
| ilość szt. | 27000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0729 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-10-09
Ilość szt.: 6000
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT323 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Częstotliwość graniczna: | 80MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |