BC807-40W smd
Symbol Micros:
TBC80740w
Obudowa: SOT323
Tranzystor PNP; 600; 200mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40W,115; BC807-40WT1G; BC807-40W,135; BC807-40W.115;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Częstotliwość graniczna: | 80MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC807-40W,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
Stan magazynowy:
6000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4800 | 0,1890 | 0,1100 | 0,0808 | 0,0738 |
| Moc strat: | 200mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Częstotliwość graniczna: | 80MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
BC807-40W CHIPNOBO
Tranzystor PNP; 600; 300mW, 45V; 500mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40W,115; BC807-40W,135; BC807-40WT1G; BC807-40WE6433, BC807-40WH6327; BC807-40WH6433; BC807-40W RFG; BC807-40W-7; BC807-40W-TP; BC807-40W_R1_00001;
Producent:
CHIPNOBO
Symbol producenta:
BC807-40W RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3350 | 0,1290 | 0,0630 | 0,0501 | 0,0479 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC807-40W,115 JSMICRO
Tranzystor PNP; 600; 200mW, 45V; 500mA; 80MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40W,115; BC807-40W,135; BC807-40WT1G; BC807-40WE6433, BC807-40WH6327; BC807-40WH6433; BC807-40W RFG; BC807-40W-7; BC807-40W-TP; BC807-40W_R1_00001;
Pozycja dostępna na zamówienie