BC807-40W smd

Symbol Micros: TBC80740w
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 600; 200mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40W,115; BC807-40WT1G; BC807-40W,135; BC807-40W.115;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Obudowa: SOT323
Częstotliwość graniczna: 80MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: NXP Symbol producenta: BC807-40W,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5700 0,2610 0,1420 0,1060 0,0950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: NXP Symbol producenta: BC807-40W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5700 0,2610 0,1420 0,1060 0,0950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Obudowa: SOT323
Częstotliwość graniczna: 80MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta