BC807UE

Symbol Micros: TBC807UE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC74-6
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 400; 330mW; 45V; 500mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807UE6327; BC807UE6327HTSA1;
Parametry
Moc strat: 330mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Obudowa: SC74-6
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: Infineon Symbol producenta: BC807UE6327 RoHS Obudowa dokładna: SC74-6 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 2+ 5+ 20+ 70+ 280+
cena netto (PLN) 3,7500 2,7800 2,0500 1,7700 1,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
70
Moc strat: 330mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Obudowa: SC74-6
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta