BC817-16LT1G

Symbol Micros: TBC81716 ON
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 BC817-16LT3G; BC817-16LT1G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ONSEMI
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 180
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC817-16LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r  
Stan magazynowy:
24 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4280 0,1690 0,0986 0,0721 0,0659
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: ONSEMI
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 180
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN