BC817-16LT1G

Symbol Micros: TBC81716 ON
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 BC817-16LT3G; BC817-16LT1G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Obudowa: SOT23
Producent: ONSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 180
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC817-16LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r  
Stan magazynowy:
1924 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6660 0,3160 0,1780 0,1350 0,1210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC817-16LT3G Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
50000 szt.
ilość szt. 20000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC817-16LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt.
ilość szt. 12000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC817-16LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
34000 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1562
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 300mW
Obudowa: SOT23
Producent: ONSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 180
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN