BC817-40LT1G
Symbol Micros:
TBC81740 ONS
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 600; 225mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC817-40LT3; BC817-40LT3G;
Parametry
| Moc strat: | 225mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC817-40LT1G-01 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
42000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4710 | 0,1860 | 0,1080 | 0,0794 | 0,0725 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC817-40LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0725 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC817-40LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
7638000 szt.
| ilość szt. | 36000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0725 |
| Moc strat: | 225mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |