BC817-40LT1G

Symbol Micros: TBC81740 ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 600; 225mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC817-40LT3; BC817-40LT3G;
Parametry
Moc strat: 225mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC817-40LT1G-01 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
42000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3890 0,1530 0,0895 0,0655 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC817-40LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
138000 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC817-40LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt.
ilość szt. 12000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC817-40LT3G Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
2270000 szt.
ilość szt. 40000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC817-40LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
6414000 szt.
ilość szt. 36000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 225mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN