BC846B SOT23(T/R) HT SEMI

Symbol Micros: TBC846b HTSEMI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: HT
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: HT SEMI Symbol producenta: BC846B RoHS 1B Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
30000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1920 0,0719 0,0385 0,0287 0,0265
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Producent: HT SEMI Symbol producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2800 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1920 0,0719 0,0385 0,0287 0,0265
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Moc strat: 200mW
Producent: HT
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta