BC846BLT1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TBC846b ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846BLT3G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC846BLT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,2980 0,1150 0,0558 0,0443 0,0426
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC846BLT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
590 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,2980 0,1150 0,0558 0,0443 0,0426
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
890
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC846BLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,2190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC846BLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
675000 szt.
ilość szt. 54000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0426
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN