BC846BLT1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TBC846b ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846BLT3G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BLT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
36060 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,3160 0,1210 0,0591 0,0469 0,0451
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BLT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
590 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,3160 0,1210 0,0591 0,0469 0,0451
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
890
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
18345000 szt.
ilość szt. 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0451
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
7044000 szt.
ilość szt. 18000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0451
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
183000 szt.
ilość szt. 18000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0451
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN