BC846BDW1T1G

Symbol Micros: TBC846bdw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN; 450; 380mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 380mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SC-88
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnetrzny:
13335000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0886
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnetrzny:
984000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0734
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnetrzny:
135000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0850
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 380mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SC-88
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN