BC846BDW1T1G

Symbol Micros: TBC846bdw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN; 450; 380mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 380mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnetrzny:
984000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0732
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnetrzny:
300000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnetrzny:
8784000 szt.
ilość szt. 21000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0712
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 380mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN