BC846SH6327XTSA1

Symbol Micros: TBC846s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xNPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846SH6327; BC846SH6327XTSA1; BC846SH6433XTMA1; BC846SH6727XTSA1; BC846SH6327/SN; BC846S INFINEON;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: Infineon Symbol producenta: BC846SH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
5500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9900 0,5020 0,3040 0,2410 0,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BC846SH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN