BC847,215 NEXPERIA
Symbol Micros:
TBC847 nxp
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 110; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847,235;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 110 |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 110 |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
BC847 JSMICRO
Tranzystor NPN; 220; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847,215; BC847,235;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BC847 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
5000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1570 | 0,0572 | 0,0302 | 0,0226 | 0,0209 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)