BC847B

Symbol Micros: TBC847b dio
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; Bipolar; 600mV; 250mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: BC847B; BC847B-DIO; BC847B-13-F; BC847B-7-F;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: DIOTEC
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC847B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
350 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2780 0,1070 0,0523 0,0416 0,0397
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC847B Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
20870 szt.
ilość szt. 20+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0820
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Producent: DIOTEC
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN