BC847B

Symbol Micros: TBC847b dio
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; Bipolar; 600mV; 250mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: BC847B; BC847B-DIO; BC847B-13-F; BC847B-7-F;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: DIOTEC
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC847B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6350 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3440 0,1360 0,0793 0,0580 0,0530
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Producent: DIOTEC
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN