BC847B SOT23(T/R) HT SEMI

Symbol Micros: TBC847b HTSEMI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: HT
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: HT SEMI Symbol producenta: BC847B RoHS :1F Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1650 0,0602 0,0318 0,0238 0,0220
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/45000
Moc strat: 200mW
Producent: HT
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN