BC847B SOT23 REALCHIP

Symbol Micros: TBC847b REA
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: RealChip
Obudowa: SOT-23-6L
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: REALCHIP Symbol producenta: BC847B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
30100 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1480 0,0541 0,0286 0,0214 0,0198
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: RealChip
Obudowa: SOT-23-6L
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta