BC847BLT1G
Symbol Micros:
TBC847blt1
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 225mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BLT3G; BC847BLT1G; BC847B-DIO; BC847B-NXP; BC847B.215; BC847B.235; BC847B-7-F;
Parametry
| Moc strat: | 225mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847BLT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9558 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3430 | 0,1320 | 0,0645 | 0,0513 | 0,0490 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847BLT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1872 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3430 | 0,1320 | 0,0645 | 0,0513 | 0,0490 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847BLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
178500 szt.
| ilość szt. | 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0671 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847BLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
313000 szt.
| ilość szt. | 18000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0490 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847BLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
7253144 szt.
| ilość szt. | 51000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0490 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847BLT3G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
730000 szt.
| ilość szt. | 60000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0490 |
| Moc strat: | 225mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |