BC847BS-7-F

Symbol Micros: TBC847bs Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC847BS-7-F; BC847BS-TP; BC847BS-13-F; BC847BS DIODES;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT363
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BC847BS-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5630 0,2580 0,1410 0,1050 0,0938
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-06-05
Ilość szt.: 3000
Moc strat: 200mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT363
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN