BC847BS-7-F
Symbol Micros:
TBC847bs Diodes
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC847BS-7-F; BC847BS-TP; BC847BS-13-F; BC847BS DIODES;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT363 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BC847BS-7-F RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5500 | 0,2610 | 0,1470 | 0,1120 | 0,1000 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BC847BS-7-F
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
183830 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1000 |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT363 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xNPN |