BC847BS SOT-363 REALCHIP

Symbol Micros: TBC847bs REA
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xNPN; 630; 200mW; 45V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: RealChip
Obudowa: SOT363
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 630
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: REALCHIP Symbol producenta: BC847BS RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4420 0,1740 0,1020 0,0744 0,0680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: RealChip
Obudowa: SOT363
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 630
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN