BC847BS SOT-363 REALCHIP

Symbol Micros: TBC847bs REA
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xNPN; 630; 200mW; 45V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: RealChip
Obudowa: SOT363
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 630
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 200mW
Producent: RealChip
Obudowa: SOT363
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 630
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN