BC847BTT1G

Symbol Micros: TBC847bt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC847BTT1G RoHS Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416) karta katalogowa
Stan magazynowy:
15000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4600 0,1810 0,1060 0,0775 0,0708
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC847BTT1G Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)  
Magazyn zewnętrzny:
69000 szt.
ilość szt. 12000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0708
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC847BTT1G Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)  
Magazyn zewnętrzny:
8928000 szt.
ilość szt. 33000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0708
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN