BC847BV,115
Symbol Micros:
TBC847bv
Obudowa: SOT-666
Tranzystor 2xNPN; 450; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BV,115; BC847BV,315; BC847BVN,115;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Obudowa: | SOT-666 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC847BV RoHS
Obudowa dokładna: SOT-666
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4000 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3200 | 1,4000 | 1,0800 | 0,9740 | 0,9270 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC847BV,115
Obudowa dokładna: SOT-666
Magazyn zewnetrzny:
64000 szt.
| ilość szt. | 8000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9270 |
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Obudowa: | SOT-666 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xNPN |