BC847BW
Symbol Micros:
TBC847bw
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BW,115; BC847BW,135; BC847BW,215; BC847BW_R2_00001; BC847BW _R1 _00001;
Parametry
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT323 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC847BW,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3370 | 0,1330 | 0,0775 | 0,0567 | 0,0518 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC847BW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
2196000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0518 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC847BW,135
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
65001 szt.
ilość szt. | 10000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0518 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC847BW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
389600 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0518 |
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT323 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |