BC847BW NEXPERIA

Symbol Micros: TBC847bw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BW,115; BC847BW,135; BC847BW,215; BC847BW_R2_00001; BC847BW _R1 _00001;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT323
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: NXP Symbol producenta: BC847BW,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6600 0,3140 0,1760 0,1340 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC847BW,115 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
ilość szt. 30000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 200mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT323
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN