BC847BWT1G ONS
Symbol Micros:
TBC847bw ONS
Obudowa: SC70-3
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200 |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847BWT1G RoHS
Obudowa dokładna: SC70-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3810 | 0,1500 | 0,0877 | 0,0641 | 0,0586 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847BWT1G
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnętrzny:
4908000 szt.
| ilość szt. | 15000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0586 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847BWT1G
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnętrzny:
3963000 szt.
| ilość szt. | 45000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0586 |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200 |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |