BC847BWT1G ONS
Symbol Micros:
TBC847bw ONS
Obudowa: SC70-3
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |