BC847BW-QX
Symbol Micros:
TBC847BW-QX
Obudowa: SC70-3
Transistor NPN; Bipolarny; 450; 45V; 200mW; 100mA; 100MHz; -65°C~150°C; BC847BW-QF;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC847BW-Q RoHS
Obudowa dokładna: SC70-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7260 | 0,3450 | 0,1940 | 0,1470 | 0,1320 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC847BW-QX
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
264000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1320 |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |