BC847BW-Q

Symbol Micros: TBC847BWQ YY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; BC847BWQ;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: YY Symbol producenta: BC847BWQ RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2600 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3440 0,1360 0,0791 0,0579 0,0529
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta