BC847C
Symbol Micros:
TBC847c c
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
Parametry
Moc strat: | 200mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Producent: | HOTTECH |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-04-30
Ilość szt.: 3000
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-05-15
Ilość szt.: 30000
Moc strat: | 200mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Producent: | HOTTECH |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |