BC847C
Symbol Micros:
TBC847c c
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | HOTTECH |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: KEXIN
Symbol producenta: BC847C RoHS 1G.
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2310 | 0,0865 | 0,0463 | 0,0346 | 0,0319 |
Producent: KINGTRONICS
Symbol producenta: BC847C RoHS ..1G
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
16324 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2310 | 0,0865 | 0,0463 | 0,0346 | 0,0319 |
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | HOTTECH |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |