BC847C

Symbol Micros: TBC847c c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: KEXIN Symbol producenta: BC847C RoHS 1G. Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2120 0,0792 0,0424 0,0317 0,0292
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: KINGTRONICS Symbol producenta: BC847C RoHS ..1G Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
12224 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2120 0,0792 0,0424 0,0317 0,0292
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-06-20
Ilość szt.: 3000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN