BC847CLT1G ONS
Symbol Micros:
TBC847c ons
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847CLT3G;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847CLT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3370 | 0,1330 | 0,0775 | 0,0567 | 0,0518 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847CLT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
636000 szt.
| ilość szt. | 39000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0518 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847CLT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
58500 szt.
| ilość szt. | 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0990 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BC847CLT3G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
980000 szt.
| ilość szt. | 40000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0518 |
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |