BC847CLT1G ONS

Symbol Micros: TBC847c ons
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847CLT3G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC847CLT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3740 0,1480 0,0862 0,0630 0,0576
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN