BC847CW,115

Symbol Micros: TBC847cw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847CW,115; BC847CWH6327; BC847CW-7-F; BC847CW-TP; BC847CW-TP-HF; BC847CWH6327XTSA1; BC847CW,135; BC847CWH6433XTMA1; BC847CW.115; BC847CW SOT323 NXP;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: NXP Symbol producenta: BC847CW,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4610 0,2110 0,1150 0,0860 0,0768
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC847CW,135 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
1320000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0768
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC847CW,135 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
80000 szt.
ilość szt. 20000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0768
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC847CW,115 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0768
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-07-22
Ilość szt.: 6000
Moc strat: 200mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN