BC847PN China
Symbol Micros:
TBC847pn c
Obudowa: SOT363
Tranzystor NPN/PNP; 450/475; 200mW; 45V; 100mA; 300/200MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Moc strat: | 200mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |