BC847S MERRY
Symbol Micros:
TBC847s MER
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xNPN; 630; 200mW; 45V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847SE6327BTSA1; BC847SE6433BTMA1; BC847SH6327XTSA1; BC847SH6359XTMA1; BC847SH6433XTMA1; BC847SH6727XTSA1; BC847SH6730XTMA1; BC847SH6827XTSA1; BC847SH RFG
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | MERRY |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | MERRY |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xNPN |
Odpowiedniki
BC847S DIOTEC
SMD General Purpose Dual NPN Transistors hFE 290 Ptot 250 mW BD847S-DIO
Producent:
DIOTEC
Symbol producenta:
BC847S
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
9000 szt.
| Ilość szt. | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0775 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC847S SHIKUES
Tranzystor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847SE6327BTSA1; BC847SE6433BTMA1; BC847SH6327XTSA1; BC847SH6359XTMA1; BC847SH6433XTMA1; BC847SH6727XTSA1; BC847SH6730XTMA1; BC847SH6827XTSA1; BC847SH RFG
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
BC847S RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4030 | 0,1590 | 0,0928 | 0,0679 | 0,0620 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)